| 型号/型号规格 | 分类 | 品牌 | 封装 | 批号 | 数量 | 询价 | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FCP125N65S3R0 | 功率三极管 |
ONSEMI/安森美 |
2204 |
800 |
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| ESP8285H16 | 射频IC |
ESPRESSIF/乐鑫 |
12600 |
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| MAX809SQ263T1G | 电源IC |
ONSEMI/安森美 |
244217 |
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| CC0402JRNPO9BN101 | 贴片电容 |
YAGEO/国巨 |
2102 |
50000 |
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| PMEG2005EH | 贴片三极管 |
NEXPERIA/安世 |
1928 |
3000 |
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| MAX40100ANT+T | 放大器 |
MAXIM/美信 |
2048 |
2498 |
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| UDZVTE-173.3B | 稳压(齐纳)二极管 |
ROHM/罗姆 |
22+ |
75000 |
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| TLV76112DCYR | IC |
TI/德州仪器 |
2429 |
2500 |
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| BSS84 | P沟道MOS管 |
NEXPERIA/安世 |
2110 |
24000 |
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| INA333AIDGKR | 运放IC |
TI/德州仪器 |
2505 |
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| RT6158AWSC | 电源IC |
RICHTEK/立锜 |
15668 |
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| PGB1010603NR | TVS/ESD静电和浪涌保护 |
LITTELFUSE/力特 |
20+ |
5000 |
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| BAT46WJ | 肖特基二极管 |
NEXPERIA/安世 |
2101 |
51000 |
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| CP2102N-A02-GQFN20R | SILICON/芯科 |
1500 |
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| GD25WQ16EEIGR | GD/兆易创新 |
48786 |
||||||
| FNB80560T3 | 电源IC |
ONSEMI/安森美 |
22+ |
9000 |
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| LP2951-50DRGR | TI/德州仪器 |
SMD |
2305 |
5000 |
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| TPS610995YFFR | 电源IC |
TI/德州仪器 |
60361 |
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| TC654EUN | 其他单片机、电路板 |
MICROCHIP/微芯 |
1989 |
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| MTFC32GASAQHD-AAT(DID:J37E) | MICRON/美光 |
1840 |
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| BCM89881B1BFBGT | BROADCOM/博通 |
2976 |
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| UDZSTE-1713B | 稳压(齐纳)二极管 |
ROHM/罗姆 |
22+ |
54000 |
||||
| ISL6731BFBZ-T | RENESAS/瑞萨 |
1746 |
329 |
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| 98DX236SA1-BXH4C000 | 其他被动元件 |
MARVELL/迈威 |
21+ |
182 |
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| ST25DV04K-JFR6D3 | 射频IC |
ST/意法 |
496024 |
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| SGM2031-2.8YUDH4G/TR | 其他被动元件 |
SGMICRO/圣邦微 |
2113 |
10000 |
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| BCM89832A0BWMLG | BROADCOM/博通 |
63 |
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| MT35XU256ABA1G12-0AAT | 存储IC |
MICRON/美光 |
2083 |
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| FQB4N80TM | MOS(场效应管) |
ONSEMI/安森美 |
2019 |
974 |
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| NIS5420MT4TXG | ONSEMI/安森美 |
21+ |
287326 |